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Nexperia PNP Darlington-Transistor 80 V -1 A HFE:1000, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach

About The 7mm, MPN: BSP62,115.Nexperia PNP Darlington-Transistor 80 V -1 A HFE:1000, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max

Nexperia PNP Darlington-Transistor 80 V -1 A HFE:1000, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Montage-Typ: SMD, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: -1,9 V, Kollektor-Basis-Spannung max.: -90 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: –1,3 V, Kollektor-Abschaltstrom max.: -50nA, Abmessungen: 6.7 x 3.7 x 1.7mm, MPN: BSP62,115

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Darlington Transistoren

Nexperia PNP Darlington-Transistor 80 V -1 A HFE:1000, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Darlington Transistoren

Specifications of Nexperia PNP Darlington-Transistor 80 V -1 A HFE:1000, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach

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Nexperia PNP Darlington-Transistor 80 V -1 A HFE:1000, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach
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Festo 535916 Pneumatik-Magnetventil, Verbindungsgröße: 1/4Zoll, Anschluss: G 1/4, Betrieb: Elektromagnet, MPN: JMFH-5-1/4-S-EX
    • Weidmüller Weidmuller Drehmomentschraubendreher, Typ: Schraubendrehereinsatz, MPN: 9918520000
    • Molex CP-6.5 Crimp-Anschlussklemme für CP-6.5-Steckverbindergehäuse, Buchse, 0.1mm² / 0.55mm², Zinn, Minimale Drahtgröße (AWG): 26AWG, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Maximale Drahtgröße (AWG): 20AWG, Seriennummer: 50598, MPN: 50598-8000
    • Eaton xEffect - FRCmM RCCB, 4-polig, 40A, 500mA Typ A xEffekt 240/415V ac, Betriebsspannung: 240/415V ac, MPN: 170348 FRCMM-40/4/05-A
    • Panasonic Leistungsdrosselspule, 6,8 μH 6.7A AEC-Q200 6.4mm, Tiefe: 4.8mm, MPN: ETQP4M6R8KFN
    • Festo 535915 Pneumatik-Magnetventil, Verbindungsgröße: 1/8Zoll, Anschluss: G 1/8, Betrieb: Elektromagnet, MPN: JMFH-5-1/8-S-EX
    • Nexperia PNP Darlington-Transistor 80 V -1 A HFE:1000, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Montage-Typ: SMD, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: -1,9 V, Kollektor-Basis-Spannung max.: -90 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: –1,3 V, Kollektor-Abschaltstrom max.: -50nA, Abmessungen: 6.7 x 3.7 x 1.7mm, MPN: BSP62,115
    • Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 76 A 51 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.15V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN7R0-30YL
    • Nexperia PNP Darlington-Transistor 80 V -1 A HFE:1000, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Montage-Typ: SMD, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: -1,9 V, Kollektor-Basis-Spannung max.: -90 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: –1,3 V, Kollektor-Abschaltstrom max.: -50nA, Abmessungen: 6.7 x 3.7 x 1.7mm, MPN: BSP62,115
    • Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 76 A 51 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.15V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN7R0-30YL