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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 11 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IPP110N20N3GXKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220

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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220
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Panasonic ERA Metallschicht SMD-Widerstand 120kΩ ±0.1% / 0.25W ±25ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA8AEB124V
    • Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 2,2 μH 11.4A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%, Tiefe: 8mm, Geschirmt: Ja, MPN: ETQP4M2R2KVK

    Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 2,2 μH 11.4A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%, Tiefe: 8mm, Geschirmt: Ja, MPN: ETQP4M2R2KVK

    4A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 8.Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 2,2 μH 11.5mm / ±20%.

    • Eaton Zubehörkit, 7.5 x 165 x 35mm, für Gehäuse XMW0906SS, Länge: 7.5mm, Material: Metall, MPN: 172206 XMW0906SS
    • Panasonic ERA Metallschicht SMD-Widerstand 270kΩ ±0.1% / 0.25W ±25ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA8AEB274V
    • Panasonic ERA Metallschicht SMD-Widerstand 270kΩ ±0.1% / 0.25W ±25ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA8AEB274V