Onsemi NVH N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 4-Pin TO-247-4
About The onsemi NVH N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.3V, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: NVH4L080N120SC1
onsemi NVH N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,08 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: NVH4L080N120SC1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NVH N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 4-Pin TO-247-4
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