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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 63 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

About The : 2.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 63 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.6mm, MPN: IRLU3110ZPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 63 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 63 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 63 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
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