IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 98 A 1,3 kW, 3-Pin TO-264, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 19.96mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFK98N50P3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 98 A 1,3 KW, 3-Pin TO-264
Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 98 A 1,3 KW, 3-Pin TO-264 | |
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