Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
About The onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: –25 V, +25 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max
onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDS4435BZ
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Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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