Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Länge: 3.15mm, MPN: SiSS12DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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