Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 220 W, 3-Pin TO-247AC
About The : 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min
Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 220 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.87mm, MPN: IRFP3306PBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 220 W, 3-Pin TO-247AC
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 160 A 220 W, 3-Pin TO-247AC | |
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