Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 79 A 110 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRF1018EPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 79 A 110 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 79 A 110 W, 3-Pin TO-220AB | |
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