Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0061 Ω, 0,0072 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, MPN: SiR104ADP-T1-RE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |