Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5,4 A, 3-Pin TO-220 FP
About The : 0,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5,4 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max
Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5,4 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPA50R500CEXKSA2
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5,4 A, 3-Pin TO-220 FP
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Specifications of Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5,4 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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