onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 2 A HFE:1000, IPAK (TO-251) 3-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Montage-Typ: THT, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: 4 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 3 V, Kollektor-Abschaltstrom max.: 20µA, Abmessungen: 6.73 x 2.38 x 6.35mm, MPN: MJD112-1G
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Onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 2 A HFE:1000, IPAK (TO-251) 3-Pin Einfach
Specifications of Onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 2 A HFE:1000, IPAK (TO-251) 3-Pin Einfach | |
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