ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, MPN: R6511KND3TL1
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ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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