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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220AB

About The Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.66mm, MPN: IRFB4332PBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220AB

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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220AB
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