Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.66mm, MPN: IRFB4332PBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220AB | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |