Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 530 mA 750 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI2325DS-T1-E3
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Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 530 MA 750 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 530 MA 750 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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