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Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 530 MA 750 MW, 3-Pin SOT-23

About The : +150 °C, MPN: SI2325DS-T1-E3.: 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 530 mA 750 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI2325DS-T1-E3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 530 MA 750 MW, 3-Pin SOT-23

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 530 MA 750 MW, 3-Pin SOT-23

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