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Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 4.4 A 960 MW, 3-Pin SOT-23

About The : 35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: –8 V, +8 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 1

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 4.4 A 960 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 1.02mm, Länge: 3.04mm, MPN: SI2305CDS-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 4.4 A 960 MW, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 4.4 A 960 MW, 3-Pin SOT-23

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