Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,18 A 500 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.6V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 2.9mm, MPN: BSS215PH6327XTSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,18 A 500 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,18 A 500 MW, 3-Pin SOT-23 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |