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Wurth Elektronik WE-LHMI Drosselspule, 0,82 μH 13.5A Mit Eisen-Kern, 8030 Gehäuse 9.7mm / ±20%, 51MHz

About The 7 x 8.5mm, Höhe: 3mm, Abmessungen: 9

Wurth Elektronik WE-LHMI Drosselspule, 0,82 μH 13.5A mit Eisen-Kern, 8030 Gehäuse 9.7mm / ±20%, 51MHz, Tiefe: 8.5mm, Höhe: 3mm, Abmessungen: 9.7 x 8.5 x 3mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 4.87mΩ, Induktivitätsbauweise: Vergossen, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 744373560082

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Wurth Elektronik WE-LHMI Drosselspule, 0,82 μH 13.5A Mit Eisen-Kern, 8030 Gehäuse 9.7mm / ±20%, 51MHz

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Specifications of Wurth Elektronik WE-LHMI Drosselspule, 0,82 μH 13.5A Mit Eisen-Kern, 8030 Gehäuse 9.7mm / ±20%, 51MHz

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onsemi SMD Hohe Geschwindigkeit Diode, 100V / 200mA, 2-Pin SOD-523, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Kleinsignal-Transistoren, Diode Typ: Siliziumverbindung, Maximaler Spannungsabfall: 1.2V, Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: 4ns, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 500mA, MPN: 1SS400T1G
    • Maxim Integrated 16 bit ADC MAX1169BEUD+, 58.6ksps TSSOP, 14-Pin, Architektur: SAR, Eingangs-Typ: Analog, Montage-Typ: SMD, Integrale Nichtlinearität: ±2LSB, Stromversorgungs-Typ: Single, Versorgungsspannung einzeln typ.: 4,75 bis 5,25 V, Abmessungen: 5.1 x 4.5 x 0.95mm, Betriebstemperatur max.: 85 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Länge: 5.1mm
    • Molex iGrid Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 32-polig / 2-reihig, Raster 2.0mm, Ummantelt, MPN: 5016453220

    Molex iGrid Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 32-polig / 2-reihig, Raster 2.0mm, Ummantelt, MPN: 5016453220

    Molex iGrid Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 32-polig / 2-reihig, Raster 2.

    • HOBUT D72SD Amperemeter 0/10A Direct Connected AC Dreheisen, 72mm x 72mm T. 38.5mm, 0/10A Direct Connected / Klasse 1,5

    HOBUT D72SD Amperemeter 0/10A Direct Connected AC Dreheisen, 72mm x 72mm T. 38.5mm, 0/10A Direct Connected / Klasse 1,5

    38.HOBUT D72SD Amperemeter 0/10A Direct Connected AC Dreheisen, 72mm x 72mm T.): -25°C, Temperatur (max.5mm, 0/10A Direct Connected / Klasse 1,5, Temperatur (min.

    • Siemens 5ST Sammelschiene, 1000V 160A, SENTRON Reihe, Zur Verwendung mit: LS 5SJ4, MPN: 5ST3666-2HG
    • Siemens 5ST Sammelschiene, 1 -phasig 80A, Kupfer, 27mm Raster, SENTRON Reihe, MPN: 5ST3702

    Siemens 5ST Sammelschiene, 1 -phasig 80A, Kupfer, 27mm Raster, SENTRON Reihe, MPN: 5ST3702

    Siemens 5ST Sammelschiene, 1 -phasig 80A, Kupfer, 27mm Raster, SENTRON Reihe.

    • Wurth Elektronik WE-LHMI Drosselspule, 0,82 μH 13.5A mit Eisen-Kern, 8030 Gehäuse 9.7mm / ±20%, 51MHz, Tiefe: 8.5mm, Höhe: 3mm, Abmessungen: 9.7 x 8.5 x 3mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 4.87mΩ, Induktivitätsbauweise: Vergossen, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 744373560082
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 15,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRFS3806TRLPBF
    • Wurth Elektronik WE-LHMI Drosselspule, 0,82 μH 13.5A mit Eisen-Kern, 8030 Gehäuse 9.7mm / ±20%, 51MHz, Tiefe: 8.5mm, Höhe: 3mm, Abmessungen: 9.7 x 8.5 x 3mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 4.87mΩ, Induktivitätsbauweise: Vergossen, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 744373560082
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 15,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRFS3806TRLPBF