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Onsemi MMBT3906WT1G SMD, PNP Transistor –40 V / –200 MA 100 MHz, SOT-323 (SC-70) 3-Pin

About The onsemi MMBT3906WT1G SMD, PNP Transistor –40 V / –200 mA 100 MHz, SOT-323 (SC-70) 3-Pin, Verlustleistung max.: -40 V, Basis-Emitter Spannung max

onsemi MMBT3906WT1G SMD, PNP Transistor –40 V / –200 mA 100 MHz, SOT-323 (SC-70) 3-Pin, Verlustleistung max.: 150 mW, Gleichstromverstärkung min.: 30, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -40 V, Basis-Emitter Spannung max.: -5 V, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Onsemi MMBT3906WT1G SMD, PNP Transistor –40 V / –200 MA 100 MHz, SOT-323 (SC-70) 3-Pin

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Infineon PSoC 4200DS Prototyping Kit Entwicklungskit Entwicklungstool Microcontroller ARM Cortex M0, Klassifizierung: Entwicklungsplatine, MPN: CY8CKIT-146
    • Infineon USB - UART Evaluierungsplatine ARM Cortex M0, Klassifizierung: Entwicklungsplatine, Kit-Name: Evaluation Kit, MPN: CYBLE-013025-EVAL
    • Nexperia Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 7.5V / 365 mW max, DFN1006BD-2, Zenertyp: Universal, MPN: BZX884S-B7V5-QYL
    • Roots Warnschutz-Overalls UK50 Orange, MPN: RO23095 UK50

    Roots Warnschutz-Overalls UK50 Orange, MPN: RO23095 UK50

    Roots Warnschutz-Overalls UK50 Orange.

    • Roots Warnschutz-Overalls UK60 Orange, MPN: RO23095 UK60

    Roots Warnschutz-Overalls UK60 Orange, MPN: RO23095 UK60

    Roots Warnschutz-Overalls UK60 Orange.

    • Lapp UNITRONIC LiYCY Datenkabel 0,25 mm² Ø 10.7mm, Kupfergeflecht geschirmt PVC isoliert Mehrleiter Grau, AWG: 24 AWG, Länge: 100m, Abschirmtyp: Kupfergeflecht verzinnt, Certification RPC: Eca, Aderlitzen: 14/0,14 mm, Verhalten im Brandfall: Schwer entflammbar, Betriebstemperatur max.: +80°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 0034425
    • onsemi MMBT3906WT1G SMD, PNP Transistor –40 V / –200 mA 100 MHz, SOT-323 (SC-70) 3-Pin, Verlustleistung max.: 150 mW, Gleichstromverstärkung min.: 30, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -40 V, Basis-Emitter Spannung max.: -5 V, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1mm
    • onsemi MMBT2907ALT3G SMD, PNP Transistor –60 V / -600 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 350 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -60 V, Basis-Emitter Spannung max.: -5 V, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • onsemi MMBT3906WT1G SMD, PNP Transistor –40 V / –200 mA 100 MHz, SOT-323 (SC-70) 3-Pin, Verlustleistung max.: 150 mW, Gleichstromverstärkung min.: 30, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -40 V, Basis-Emitter Spannung max.: -5 V, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1mm
    • onsemi MMBT2907ALT3G SMD, PNP Transistor –60 V / -600 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 350 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -60 V, Basis-Emitter Spannung max.: -5 V, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C