Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,4 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
About The 02mm, MPN: IRLML6346TRPBF.1V, Gate-Schwellenspannung min
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,4 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 1.02mm, MPN: IRLML6346TRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,4 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,4 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23 | |
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