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DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 260 MA 400 MW, 6-Pin SOT-363

About The : 1.: 13 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 260 mA 400 mW, 6-Pin SOT-363, Gehäusegröße: SOT-363 (SC-88), Drain-Source-Widerstand max.: 13 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1mm, Länge: 2.2mm, MPN: DMN63D8LDW-7

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 260 MA 400 MW, 6-Pin SOT-363

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Specifications of DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 260 MA 400 MW, 6-Pin SOT-363

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DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 260 MA 400 MW, 6-Pin SOT-363
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MEAN WELL RSDW DC/DC-Wandler 40W, 13.5 → 16.5V dc OUT / 2.666A Durchsteckmontage, Ausgangsspannung: 13.5 → 16.5V dc, Eingangsspannung: 9 → 36 V DC, Temperatur max.: +85°C, Temperatur min.: -40°C, MPN: RSDW40F-15
    • KEMET, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 2.2μF ±10% / 25V dc, Gehäuse 0805 (2012M), Kapazität: 2.2µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 2 x 1.25 x 1.25mm, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Entstörklasse: Class II, MPN: C0805C225K3RACTU
    • DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 5,2 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1.1mm, Länge: 3mm, MPN: DMP1045U-7
    • Amphenol connector,metal circ,wall recept,size 22,2#12,4#16 solder socket contact,black, MPN: 97-3100A-22-5S(946)

    Amphenol connector,metal circ,wall recept,size 22,2#12,4#16 solder socket contact,black, MPN: 97-3100A-22-5S(946)

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