Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 58 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI9933CDY-T1-GE3
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Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC | |
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