DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 MA 540 MW, 3-Pin SOT-23

Name: DiodesZetex, DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 MA 540 MW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand Max.: 4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur Max.: +150 °C, MPN: DMP32D4S-7
Brand: DiodesZetex
SKU: ABDT-227340
Price: 277.20 EUR
Availability: InStock

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DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 mA 540 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: DMP32D4S-7

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Murata, GRM, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 22μF / 25V dc, Gehäuse 1210 (3225M), Kapazität: 22µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Anschlussklemmentyp: Standard, MPN: GRM32ER71E226KE15L

Maxim Integrated LVDS-Sender CMOS, LVTTL LVDS SMD, SOIC, Interface: Sender-IC, Arbeitsspannnung max.: 4 V, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Arbeitsspannnung min.: –0,3 V, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: MAX9112ESA+

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Specifications of DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 MA 540 MW, 3-Pin SOT-23
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Last Updated January 8th, 2025 02:43 pm

DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 MA 540 MW, 3-Pin SOT-23

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Bourns PDB241-GTR, Tafelmontage Dreh Potentiometer 250kΩ ±20% / 0.25W, Schaft-Ø 6.35 mm, Potenziometer Typ: Drehbar, Widerstandselement: Audio, Elementwerkstoff: Kohleschicht, Montageart: Frontplattenmontage, Anschlussart: Lötöse, Schaftlänge: 19mm, Betätigungselementtyp: Gerändelte Welle, MPN: PDB241-GTR02-254A2

Bourns PDB241-GTR, Tafelmontage Dreh Potentiometer 250kΩ ±20% / 0.25W, Schaft-Ø 6.35 mm.

Bourns CRL0603 Dickschicht SMD-Widerstand 200mΩ ±1% / 0.1W ±200ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CRL0603-FW-R200ELF

1W ±200ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse.Bourns CRL0603 Dickschicht SMD-Widerstand 200mΩ ±1% / 0.

Eaton Bussmann Sicherung UK-Norm A3, 660V ac / 50A T, gG, gM BS 88-2, IEC 269-2, Lochabstand 73mm, Betriebsspannung: 660V ac, Breite Kontaktklingen: 8.7mm, Hohes Schaltvermögen: Ja, Gesamtlänge: 85.5mm, Gehäusedurchmesser: 22.2mm, Aufnahme: Bolzen, Ausrichtung: Versetzt, Gehäusehöhe: 56.4mm, Sicherungsabmessungen: 22 x 86mm, MPN: TIS50

Eaton Bussmann Sicherung UK-Norm A3, 660V ac / 50A T, gG, gM BS 88-2, IEC 269-2, Lochabstand 73mm.

RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 68Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, Distrelec Product Id: 30425924

25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse.RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 68Ω ±1% / 0.

Murata, GRM, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 22μF / 16V dc, Gehäuse 1210 (3225M), Kapazität: 22µF, Spannung: 16V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Anschlussklemmentyp: Standard, MPN: GRM32ER71C226KEA8L

Murata, GRM, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 22μF / 16V dc, Gehäuse 1210 (3225M).

Maxim Integrated LVDS-Sender CMOS, LVTTL LVDS SMD, SOIC, Interface: Sender-IC, Arbeitsspannnung max.: 4 V, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Arbeitsspannnung min.: –0,3 V, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: MAX9112ESA+

Maxim Integrated LVDS-Sender CMOS, LVTTL LVDS SMD, SOIC.