Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 236 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3.04mm, MPN: IRLML2246TRPBF
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Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23 | |
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