reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 28 A DirectFET ISOMETRISCH

About The Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 28 A DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,056 Ω, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 28 A DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,056 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF6775MTRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 28 A DirectFET ISOMETRISCH

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 28 A DirectFET ISOMETRISCH

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 28 A DirectFET ISOMETRISCH
More Varieties

Rating :- 9.84 /10
Votes :- 42
ebm-papst A Series Axiallüfter 1440m³/h, Axialventilator, Ø 397mm x 80mm, 62dB, Frontabmessungen: 397 (Dia.) x 80mm, Rohrgröße: 325mm, Versorgungsspannung: 230 V ac, MPN: W4S300-CA02-02
    • TE Connectivity GRGP Dickschicht SMD-Widerstand 330Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRGP0603F330R
    • KEMET, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 940nF 10% / 250V dc, Gehäuse 1812 (4532M), Spannung: 250V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: C1812C944KARLCAUTO
    • Gates Hi-Power Antriebsriemen, B-Profil 17mm x 11mm x 1040mm, Außenlänge: 1029mm, Innenlänge: 1000mm, MPN: 9003-10039
    • UPower Red Industry Damen Sicherheitsschuhe Blau, mit Zehen-Schutzkappe Verbundmaterial, Größe 41 / UK 7, EN20345 S1P,, Schuhgröße US: 8, Zehenschutzkappe: Ja, Verschlussart: Schnüren, Wasserbeständig: Nein, MPN: RI21076-41
    • Silicon Labs Development Kit, 868 → 915MHz Funkplatine IoT für EFR32xG23, Drahtlos SubGHz, Vorgestelltes Gerät: BRD4002A Wireless Pro Kit Mainboard, BRD4204D EFRxG23 14 dBm Radio Board, Kit-Name: EFR32xG23 14dBm Pro Kit, MPN: xG23-PK6067A
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 28 A DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,056 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF6775MTRPBF
    • Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 120 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 22 A 5,5 kW 3 NO (Schließer) / 1 NC (Öffner), MPN: 3RT2017-4AK62

    Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 120 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 22 A 5,5 kW 3 NO (Schließer) / 1 NC (Öffner), MPN: 3RT2017-4AK62

    Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 120 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 22 A 5,5 kW 3 NO (Schließer) / 1 NC (Öffner).

    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 28 A DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,056 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF6775MTRPBF
    • Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 120 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 22 A 5,5 kW 3 NO (Schließer) / 1 NC (Öffner), MPN: 3RT2017-4AK62

    Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 120 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 22 A 5,5 kW 3 NO (Schließer) / 1 NC (Öffner), MPN: 3RT2017-4AK62

    Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 120 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 22 A 5,5 kW 3 NO (Schließer) / 1 NC (Öffner).