Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 390 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±12 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SSM3K339R
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Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-23 | |
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