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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7

About The : -20 V, +20 V, Länge: 10.Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 2,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRFS3006TRL7PP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7
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    • Panasonic EB(A), THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 220μF ±20% / 50V dc, Ø 10mm x 16mm, bis 105°C, Kapazität: 220µF, Spannung: 50V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Abmessungen: 10 (Dia.) x 16mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 5mm, Lebensdauer: 10000h, Leckstrom: 110 μA, Brummstrom: 234mA, MPN: EEUEB1H221