Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 5,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 5,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRFS3307ZTRLPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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