Infineon OptiMOS P P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.9mm, MPN: BSL308PEH6327XTSA1
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Infineon OptiMOS P P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A 500 MW, 6-Pin TSOP-6
Specifications of Infineon OptiMOS P P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A 500 MW, 6-Pin TSOP-6 | |
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