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Nexperia N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB

About The : +175 °C, MPN: PSMN3R0-60PS.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Nexperia N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN3R0-60PS

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Nexperia N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Nexperia N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB

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Nexperia N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB
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Rating :- 9.88 /10
Votes :- 43
Werma Halterung Grau, Baugruppentyp: Signalsäulenkomponente, Multifunktion: Nein, MPN: 960.000.52
    • Helly Hansen Alna Warnschutz-Arbeitshose, Schwarz, Größe 40Zoll, Art: Hosen, Elastischer Taillenbund: Nein, MPN: 71490_269-C60
    • KYOCERA AVX, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator, 1μF / 50V dc, Gehäuse 1812 (4532M), Kapazität: 1µF, Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 4.5 x 3.2 x 1.27mm, Länge: 4.5mm, Tiefe: 3.2mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: 18125C105KAT2A
    • Murata Keramikresonator 6MHz ±0.5% Shear 50Ω 39pF 3-Pin 4.5 x 2 x 1.2mm Oberflächenmontage ±0.2%, Länge: 4.5mm, Betriebstemperatur max.: 80°C, Betriebstemperatur min.: -20°C, MPN: CSTCR6M00G53Z-R0
    • Festo DFM 170841, M5, M5 Pneumatik-Führungszylinder doppeltwirkend mit Kugellager, Bohrung Ø 20mm / Hub 25mm, bis 10 bar, Ausführung: Zweifach, Endlagendämpfung: Elastomer, Abmessungen: 80 x 83 x 36mm, Gewicht: 825g, Betriebstemperatur (max.): +80°C, Länge: 80mm, Betriebstemperatur (min.): -20°C, MPN: DFM-20-25-P-A-GF
    • HellermannTyton HIS-3 BAG Wärmeschrumpfschlauch, Polyolefin vernetzt Schwarz, Ø 6mm Schrumpfrate 3:1, Länge 200mm, Schrumpfdurchmesser: 2mm, Hülsen Typ: Wärmeschrumpfend, Kleberbeschichtet: Nein, Betriebstemperaturbereich: -55 →+135 °C, Flammhemmend: Ja, MPN: 308-30610 HIS-3-BAG-6/2-PO-X-BK
    • Nexperia N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN3R0-60PS
    • Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 306 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN1R7-60BS
    • Nexperia N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN3R0-60PS
    • Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 306 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN1R7-60BS