Toshiba SMD Diode, 400V / 700mA, 2-Pin S-FLAT

Name: Toshiba SMD Diode, 400V / 700mA, 2-Pin S-FLAT? Toshiba
Brand: Toshiba
SKU: ABDT-231518
Price: 5.88 EUR
Availability: InStock

About The 5A, MPN: CRG02(TE85L,Q,M).1V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 16

Toshiba SMD Diode, 400V / 700mA, 2-Pin S-FLAT, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Universal, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.1V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 16.5A, MPN: CRG02(TE85L,Q,M)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Schottky-Dioden und Gleichrichter

Siemens Stahl Wandgehäuse IP31, HxBxT 800 mm x 550 mm x 210mm, IK-Klassifizierung: IK09, MPN: 8GK1121-3KK22

Siemens Stahl Wandgehäuse IP31, HxBxT 800 mm x 800 mm x 210mm, IK-Klassifizierung: IK09, MPN: 8GK1121-3KK32

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Schottky-Dioden und Gleichrichter

Specifications of Toshiba SMD Diode, 400V / 700mA, 2-Pin S-FLAT
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Last Updated January 23rd, 2025 07:17 am

Toshiba SMD Diode, 400V / 700mA, 2-Pin S-FLAT

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Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 1.5kΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW06031K50FKEA

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 1.5kΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse.

Renesas Electronics Spannungsregler 3A, 1 Linearregler DFN, 10-Pin, Einstellbar, Ausgangsspannung: 0,8 → 5 V, Line-Regulation: 0,8 %, Genauigkeit: ±1.8%, Load-Regulation: –0,8 %, Montage-Typ: SMD, Polarität: Positiv, Ruhestrom: 12mA, Abmessungen: 3 x 3 x 0.8mm, MPN: ISL80103IRAJZ-T7A

Renesas Electronics Spannungsregler 3A, 1 Linearregler DFN, 10-Pin, Einstellbar.

KEMET, HiQ-CBR, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 10pF ±5% / 250V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Spannung: 250V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: CBR06C100JAGAC

KEMET, HiQ-CBR, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 10pF ±5% / 250V dc, Gehäuse 0603 (1608M).

KEMET, HiQ-CBR, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 27pF ±5% / 250V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Spannung: 250V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: CBR06C270JAGAC

KEMET, HiQ-CBR, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 27pF ±5% / 250V dc, Gehäuse 0603 (1608M).

KEMET, HiQ-CBR, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 39pF ±5% / 250V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Spannung: 250V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: CBR06C390JAGAC

KEMET, HiQ-CBR, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 39pF ±5% / 250V dc, Gehäuse 0603 (1608M).

onsemi THT SiC-Schottky Diode 2 Paar gemeinsame Kathode, 650V / 20A, 3-Pin TO-220, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 2.4V, MPN: FFSP2065BDN-F085

onsemi THT SiC-Schottky Diode 2 Paar gemeinsame Kathode, 650V / 20A, 3-Pin TO-220.

Siemens Stahl Wandgehäuse IP31, HxBxT 800 mm x 800 mm x 210mm, IK-Klassifizierung: IK09, MPN: 8GK1121-3KK32

Siemens Stahl Wandgehäuse IP31, HxBxT 800 mm x 800 mm x 210mm.