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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

About The 78mm, Länge: 3.: -20 V, +20 V, Höhe: 0

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.78mm, Länge: 3.3mm, MPN: SISS27DN-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
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Osram LED-Treiber 220 bis 240 V LED-Treiber, Ausgang 20…50V / 200 → 500mA, Dimmbar Konstantstrom, Ausgangsleistung max.: 20W, Dimmbar: Ja, MPN: OTI-QBM-20/220-240/500-NFC-I
    • RS PRO Dünnschicht Widerstand 150Ω 0.1% / 0.4W ±50 → 100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse
    • Osram LED-Treiber, LED-Controller: LED-Dimmer, Dimmbetrieb: DALI, Touch DIM, MPN: HTI-DALI-315/230-240-DIM
    • RS PRO Dünnschicht Widerstand 15kΩ 0.1% / 0.4W ±50 → 100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Temperaturkoeffizient: ±50 → 100ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C
    • WJ Furse ESP D/TN Überspannungsschutzeinheit, Transienten Spannungsbegrenzer 5kA 19 V, DIN-Schienen Montage, 120 x 54 x, Suppressor Typ: Twisted Pair Überspannungsschutz, Spitzenstrom max.: 5 kA, 20kA, Länge: 120mm, Tiefe: 19mm, Höhe: 54mm, Abmessungen: 120 x 54 x 19mm, Betriebstemperatur min.: -25°C, Betriebstemperatur max.: +70°C, MPN: 7TCA085400R0089 ESP 15D
    • Osram LED-Treiber DALI-Signalverstärker, Anzahl der Kanäle: 2, Versorgungsspannung max.: 230V, MPN: DALI-REPEATER-LI
    • SKF SY 30 FM Stehlager x 175mm, Innen-Ø 30mm, Nabe-Höhe: 42.9mm

    SKF SY 30 FM Stehlager x 175mm, Innen-Ø 30mm, Nabe-Höhe: 42.9mm

    SKF SY 30 FM Stehlager x 175mm, Innen-Ø 30mm.

    • Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.78mm, Länge: 3.3mm, MPN: SISS27DN-T1-GE3
    • SKF SY 30 FM Stehlager x 175mm, Innen-Ø 30mm, Nabe-Höhe: 42.9mm

    SKF SY 30 FM Stehlager x 175mm, Innen-Ø 30mm, Nabe-Höhe: 42.9mm

    SKF SY 30 FM Stehlager x 175mm, Innen-Ø 30mm.

    • Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.78mm, Länge: 3.3mm, MPN: SISS27DN-T1-GE3