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Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

About The 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 9,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 9,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 0.8mm, Länge: 3.4mm, MPN: SIS415DNT-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Specifications of Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 22 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
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Nuvotem Talema Ringkerntransformator, Primär 230V ac / Sekundär 2 x 35V ac, 500VA 2 Ausg., 7.14A 3.5kg 136 (Dia.) x, Höhe: 60mm, Durchmesser: 136mm, Abmessungen: 136 (Dia.) x 60mm, Betriebsfrequenz max.: 450Hz, Anschlussart: Kupfer-Drahtanschluss, Isolationsspannung: 4.5kV ac, Temperatur max.: +120°C, MPN: 0500P1-2-035
    • SKF Linearlager-Gehäuse, 345mm x 145mm x 212mm, Typ: Geteiltes Plummerblockgehäuse, Abmessungen: 345 x 145 x 212mm, MPN: SNL 519-616
    • SKF SY 25 TR Stehlager x 152mm, Innen-Ø 25mm, Nabe-Höhe: 36.5mm

    SKF SY 25 TR Stehlager x 152mm, Innen-Ø 25mm, Nabe-Höhe: 36.5mm

    SKF SY 25 TR Stehlager x 152mm, Innen-Ø 25mm.

    • TE Connectivity GRGP Dickschicht SMD-Widerstand 270Ω ±1% / 0.33W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRGP0805F270R
    • TE Connectivity GRGP Dickschicht SMD-Widerstand 270Ω ±1% / 0.33W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRGP0805F270R