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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,4 A 19 W, 6-Pin SOT-363

About The 6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 0

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,4 A 19 W, 6-Pin SOT-363, Gehäusegröße: SOT-363 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max.: 38 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 0.8mm, Länge: 2.15mm, MPN: SIA449DJ-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,4 A 19 W, 6-Pin SOT-363

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Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,4 A 19 W, 6-Pin SOT-363

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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,4 A 19 W, 6-Pin SOT-363
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