Infineon SIPMOS® P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220
About The Infineon SIPMOS® P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon SIPMOS® P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 270 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, MPN: SPP15P10PLHXKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon SIPMOS® P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Infineon SIPMOS® P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220 | |
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