Infineon HEXFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 5mm, MPN: IRF7104TRPBF
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Infineon HEXFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 2 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 2 W, 8-Pin SOIC | |
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