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Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 89 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 10,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 89 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 10,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN7R0-60YS

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 89 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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Specifications of Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 89 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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    • Phoenix Contact MDSTB 2.5/ 4-GF Steckbarer Klemmenblock Header 4-Kontakte 5.0mm-Raster, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 10.0A, Betriebsspannung: 400,0 V, Kontaktmaterial: Zinn, MPN: 1846713
    • Siemens Etiketten zum Einsatz mit KTP900 Mobile, Zubehörtyp: Etikett-Kit, MPN: 6AV2181-5JJ10-0AX0
    • Siemens Schutzfolie zum Einsatz mit KTP900 Mobile, MPN: 6AV2181-5JJ00-0AX0

    Siemens Schutzfolie zum Einsatz mit KTP900 Mobile, MPN: 6AV2181-5JJ00-0AX0

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    • Vishay PR02 Metallschicht Widerstand 3.3kΩ ±5% / 2W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±250ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: PR02000203301JA100
    • Dialight LED 24V rot, MPN: 608-2132-240F
    • Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 89 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 10,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN7R0-60YS
    • Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 82 A 130 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 13,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN8R2-80YS,115
    • Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 89 A 117 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 10,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN7R0-60YS
    • Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 82 A 130 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 13,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN8R2-80YS,115