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Infineon N-Kanal MOSFET Transistor / 90 A PG-TO263-3-2

About The Infineon N-Kanal MOSFET Transistor / 90 A PG-TO263-3-2, MPN: IPB90N06S404ATMA2

Infineon N-Kanal MOSFET Transistor / 90 A PG-TO263-3-2, MPN: IPB90N06S404ATMA2

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon N-Kanal MOSFET Transistor / 90 A PG-TO263-3-2

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Specifications of Infineon N-Kanal MOSFET Transistor / 90 A PG-TO263-3-2

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Infineon N-Kanal MOSFET Transistor / 90 A PG-TO263-3-2
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TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 22nF ±10% / 630V dc, Gehäuse 1206 (3216M), Spannung: 630V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 3.2 x 1.6 x 1.3mm, Länge: 3.2mm, Tiefe: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Entstörklasse: Class 2, MPN: C3216X7R2J223K130AE
    • SAM Gabelschlüsselsatz CrV-Stahl, 6-teilig 8 x 9 → 18 x 19 mm, VDE 1000V zugelassen: Nein, MPN: 10N-J6P
    • Microchip 4kbit EEPROM-Speicherbaustein, Seriell (2-Draht) Interface, UDFN, 3500ns SMD 256 x 8 bit, 256 x 8-Pin 8bit, Arbeitsspannnung min.: 1,7 V, Arbeitsspannnung max.: 5,5 V, Programmierspannung: 1.7 → 5.5V, Abmessungen: 2 x 3 x 0.55mm, Automobilstandard: AEC-Q100, Datenerhalt: >200Jahr, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: 24FC04T-I/MUY
    • Vishay 150 RMI, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 470μF ±20% / 63V dc, Ø 16mm x 20mm, bis 105°C, Kapazität: 470µF, Spannung: 63V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 16 (Dia.) x 20mm, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 7.5mm, Lebensdauer: 7000h, Automobilstandard: AEC-Q200, Leckstrom: 299 μA, Brummstrom: 1.1A, MPN: MAL215098475E3
    • ABB Nylon 66 Kabelbinder Kabelbinder Schwarz 6,9 mm x 343mm, MPN: TY27M-0

    ABB Nylon 66 Kabelbinder Kabelbinder Schwarz 6,9 mm x 343mm, MPN: TY27M-0

    ABB Nylon 66 Kabelbinder Kabelbinder Schwarz 6,9 mm x 343mm.

    • Omron G6A Signalrelais Printrelais, 5V dc Spule, 2-poliger Wechsler, 2A, 250V / 220V, Leiterplattenstift, Spulenspannung: 5V dc, Spulenwiderstand: 125 Ω, Montage Typ: Leiterplattenmontage, Anschluss Typ: Durchsteckmontage, Tiefe: 10.1mm, Höhe: 8.4mm, Länge: 20.2mm, Schaltleistung AC max.: 125 VA, Schaltleistung DC max.: 60 W, MPN: G6A-234P-ST-US DC5
    • Infineon N-Kanal MOSFET Transistor / 90 A PG-TO263-3-2, MPN: IPB90N06S404ATMA2

    Infineon N-Kanal MOSFET Transistor / 90 A PG-TO263-3-2, MPN: IPB90N06S404ATMA2

    Infineon N-Kanal MOSFET Transistor / 90 A PG-TO263-3-2.

    • Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand 390mΩ ±1% / 1W, 0612 (1632M) Gehäuse, MPN: NCW0612MC3907FP500

    Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand 390mΩ ±1% / 1W, 0612 (1632M) Gehäuse, MPN: NCW0612MC3907FP500

    Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand 390mΩ ±1% / 1W, 0612 (1632M) Gehäuse.

    • Infineon N-Kanal MOSFET Transistor / 90 A PG-TO263-3-2, MPN: IPB90N06S404ATMA2

    Infineon N-Kanal MOSFET Transistor / 90 A PG-TO263-3-2, MPN: IPB90N06S404ATMA2

    Infineon N-Kanal MOSFET Transistor / 90 A PG-TO263-3-2.

    • Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand 390mΩ ±1% / 1W, 0612 (1632M) Gehäuse, MPN: NCW0612MC3907FP500

    Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand 390mΩ ±1% / 1W, 0612 (1632M) Gehäuse, MPN: NCW0612MC3907FP500

    Vishay Dünnschicht SMD-Widerstand 390mΩ ±1% / 1W, 0612 (1632M) Gehäuse.