Panasonic PhotoMOS AQY THT Halbleiterrelais MOSFET-Schaltung, 1-poliger Schließer 40 V AC/DC / 250 MA

Name: Panasonic - Panasonic PhotoMOS AQY THT Halbleiterrelais MOSFET-Schaltung, 1-poliger Schließer 40 V AC/DC / 250 MA, Montage Typ: Leiterplattenmontage, Ausgangsschaltung: Foto-MOSFET, MPN: AQY221R2V1Y
Brand: Panasonic
SKU: ABDT-245
Price: 11.03 EUR
Availability: InStock

About The Panasonic PhotoMOS AQY THT Halbleiterrelais MOSFET-Schaltung, 1-poliger Schließer 40 V AC/DC / 250 mA, Montage Typ: Leiterplattenmontage, Ausgangsschaltung: Foto-MOSFET, MPN: AQY221R2V1Y

Panasonic PhotoMOS AQY THT Halbleiterrelais MOSFET-Schaltung, 1-poliger Schließer 40 V AC/DC / 250 mA, Montage Typ: Leiterplattenmontage, Ausgangsschaltung: Foto-MOSFET, MPN: AQY221R2V1Y

Elektromechanik & Automation und Kabel > Relais und Signalaufbereitung > Relais > Halbleiterrelais

BALLUFF BES M12 Näherungssensor Induktiv, Gewinderohr 3 mm PNP 10 → 30 VDC / 200 mA NO, IP67, Länge: 50mm, Montagetyp: Bündig, Gehäusematerial: Messing, PTFE-beschichtet, Breite: 12mm, Gleichspannung max.: 30V, Betriebstemperatur min.: -25°C, MPN: BES M12MF1-PSC30A-S04G-W01

Vishay MMB0207 Dünnschicht SMD-Widerstand 2.2kΩ ±1% / 0.4W ±50ppm/°C, Melf 0207 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: MMB02070C2201FB200

Elektromechanik & Automation und Kabel > Relais und Signalaufbereitung > Relais > Halbleiterrelais

Specifications of Panasonic PhotoMOS AQY THT Halbleiterrelais MOSFET-Schaltung, 1-poliger Schließer 40 V AC/DC / 250 MA
Category
Instock	instock

Last Updated February 1st, 2025 06:28 pm

Panasonic PhotoMOS AQY THT Halbleiterrelais MOSFET-Schaltung, 1-poliger Schließer 40 V AC/DC / 250 MA

More Varieties

Rating :- 9.33 /10

Votes :- 40

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A PG-TO263-3, MPN: IPB60R299CPAATMA1

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A PG-TO263-3.

SKF Lagergehäuse, MPN: SHT 60

SKF Lagergehäuse.

Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 39 nH 200mA mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm, 1.2GHz, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 1Ω, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Qualitätsfaktor min.: 8, MPN: 744784139A

2GHz.Wurth Elektronik WE-MK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 39 nH 200mA mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm, 1.

Vishay MMB0207 Dünnschicht SMD-Widerstand 2kΩ ±1% / 0.4W ±50ppm/°C, Melf 0207 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: MMB02070C2001FB200

Vishay MMB0207 Dünnschicht SMD-Widerstand 2kΩ ±1% / 0.4W ±50ppm/°C, Melf 0207 Gehäuse.

Infineon P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A PG-TO263-7-3, MPN: IPB180P04P403ATMA2

Infineon P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A PG-TO263-7-3.

Vishay MMB0207 Dünnschicht SMD-Widerstand 2.2kΩ ±1% / 0.4W ±50ppm/°C, Melf 0207 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: MMB02070C2201FB200

4W ±50ppm/°C, Melf 0207 Gehäuse.2kΩ ±1% / 0.Vishay MMB0207 Dünnschicht SMD-Widerstand 2.