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RS PRO LED Signalleuchte Rot, 24V Dc / 110/105mcd, Ø 10mm X 28mm, Sockel BA9s

About The RS PRO LED Signalleuchte Rot, 24V dc / 110/105mcd, Ø 10mm x 28mm, Sockel BA9s, Nennspannung: 24V dc, Chiptyp: Multichip, Betrachtungswinkel: 180°, Wellenlänge Spitze: 630nm, Lebensdauer: 100000h

RS PRO LED Signalleuchte Rot, 24V dc / 110/105mcd, Ø 10mm x 28mm, Sockel BA9s, Nennspannung: 24V dc, Chiptyp: Multichip, Betrachtungswinkel: 180°, Wellenlänge Spitze: 630nm, Lebensdauer: 100000h

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Displays und Optoelektronik > Anzeigelampen und Zubehörteile > Signalleuchten

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Specifications of RS PRO LED Signalleuchte Rot, 24V Dc / 110/105mcd, Ø 10mm X 28mm, Sockel BA9s

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Molex Mini50 Automotive, Kfz-Steckverbinder, Nicht abgedichtete senkrechte Stiftleiste, Stecker, 8-polig, Schwarz /, Anzahl der Reihen: 1, Nennstrom: 4A, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Höhe: 10.44mm, Breite: 22.62mm, Tiefe: 14.6mm, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Nickel verzinnt, Betriebstemperatur (max.): +105°C, MPN: 34792-0080
    • RS PRO Bürsten-Getriebemotor bis 59 Ncm, 6 → 15 V dc / 7,9 W,, Wellen-Ø 6mm, 37mm x 68.5mm, Abtriebsdrehzahl: 63 U/min, Getriebekopftyp: Spur, Nennstrom: 990 mA, Gehäusemontage: Eisenkern, Serie: 980D
    • Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9.9 A 40000 mW, 3-Pin TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Höhe: 9.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRLI640GPBF
    • onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 162 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTHL190N65S3HF
    • onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 162 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTHL190N65S3HF