Toshiba N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5 A 35 W Bei 25 °C, 3-Pin TO-220SIS
About The : 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Toshiba N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5 A 35 W bei 25 °C, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +30 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK5A50D,S5Q(J
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5 A 35 W Bei 25 °C, 3-Pin TO-220SIS
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Specifications of Toshiba N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5 A 35 W Bei 25 °C, 3-Pin TO-220SIS | |
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