IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 46 A 660 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 69 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, MPN: IXFH46N65X2
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IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 46 A 660 W, 3-Pin TO-247
Specifications of IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 46 A 660 W, 3-Pin TO-247 | |
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