Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13.6 A 2500 mW, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI4162DY-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13.6 A 2500 MW, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13.6 A 2500 MW, 8-Pin SOIC | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |