Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75
About The Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75, Drain-Source-Widerstand max.: 3V, MPN: SI1021R-T1-GE3
Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75, Drain-Source-Widerstand max.: 8 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, MPN: SI1021R-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75
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Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75 | |
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