Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 51 A 80 W, 3-Pin TO-220AB
About The : –16 V, +16 V, Betriebstemperatur max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min
Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 51 A 80 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRLZ44ZPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 51 A 80 W, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 51 A 80 W, 3-Pin TO-220AB | |
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