Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 150 A 140 W, 3-Pin TO-220AB
About The 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 2
Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 150 A 140 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRL7833PBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 150 A 140 W, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 150 A 140 W, 3-Pin TO-220AB | |
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