Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 500 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
About The 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQJ126EP-T1_GE3.: 3
Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 500 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00094 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQJ126EP-T1_GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 500 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
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Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 500 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L | |
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