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Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67,4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

About The 2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiSH536DN-T1-GE3.: 0,00325 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67,4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00325 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiSH536DN-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67,4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 67,4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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