reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.73mm, MPN: IRFR5410TRPBF

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 205 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRFR5410TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
More Varieties

Rating :- 9.87 /10
Votes :- 43