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IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.41mm, MPN: IXFA80N25X3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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